Π46鍵？？不會是π鍵和σ鍵吧……汗珠……
不相同，
BF3是等性雜化的，不用說，它是平面三角形結構。三氟化硼形成一個4中心6電子的大π鍵，6個電子分別由3個氟原子提供，3個氟原子各提供1個全充滿的2p軌道，與硼原子的空p軌道肩并肩，形成大π鍵。B原子以sp2雜化軌道成鍵，
SO3是等性的，分子為非極性分子，代表它分子中沒有極性，所以是等性雜化。硫的氧化數為+6，硫中的所有的電子都參與成鍵，沒有孤對電子，不需要給孤對電子留出空間了，所以它是具有十分對稱的平面正三角形。

下列各組的幾種分子中所有原子都可能處于同一平面的是（　　）A．CH4、CS2、BF3B．CO2、H2O、NH3C．C2H4

A．甲烷是正四面體結構，二硫化碳是直線型分子，三氟化硼是平面三角形分子，所以甲烷中所有原子不可能同一平面，故A錯誤；
B．氨氣分子是三角錐型結構，所以氨氣分子中所有原子不可能處于同一平面，故B錯誤；
C．乙烯和苯是平面型結構，乙炔是直線型結構，所以這幾種分子中所有原子處于同一平面上，故C正確；
D．四氯化碳是正四面體結構，PH3為三角錐型結構，所以CCl4、PH3中所有原子不可能處于同一平面上，故D錯誤；
故選：C．

多晶硅產業中會用到哪些工業氣體

1、硅烷（SiH4）：有毒。硅烷在半導體工業中主要用于制作高純多晶硅、通過氣相淀積制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔離層、多晶硅歐姆接觸層和異質或同質硅外延生長原料、以及離子注入源和激光介質等，還可用于制作太陽能電池、光導纖維和光電傳感器等。2、鍺烷（GeH4）：劇毒。金屬鍺是一種良好的半導體材料，鍺烷在電子工業中主要用于化學氣相淀積，形成各種不同的硅鍺合金用于電子元器件的制造。3、磷烷（PH3）：劇毒。主要用于硅烷外延的摻雜劑，磷擴散的雜質源。同時也用于多晶硅化學氣相淀積、外延GaP材料、離子注入工藝、化合物半導體的MOCVD工藝、磷硅玻璃（PSG）鈍化膜制備等工藝中。4、砷烷（AsH3）：劇毒。主要用于外延和離子注入工藝中的n型摻雜劑。5、氫化銻（SbH3）：劇毒。用作制造n型硅半導體時的氣相摻雜劑。6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的劇毒氣體。硼烷是氣態雜質源、離子注入和硼摻雜氧化擴散的摻雜劑，它也曾作為高能燃料用于火箭和導彈的燃料。7、三氟化硼（BF3）：有毒，極強刺激性。主要用作P型摻雜劑、離子注入源和等離子刻蝕氣體。8、三氟化氮（NF3）：毒性較強。主要用于化學氣相淀積（CVD）裝置的清洗。三氟化氮可以單獨或與其它氣體組合，用作等離子體工藝的蝕刻氣體，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蝕刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蝕刻，也用于NbSi2的蝕刻。9、三氟化磷（PF3）：毒性極強。作為氣態磷離子注入源。10、四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蝕性極強的氟硅酸。主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化鉭（TaSi2）的等離子蝕刻、發光二極管P型摻雜、離子注入工藝、外延沉積擴散的硅源和光導纖維用高純石英玻璃的原料。11、五氟化磷（PF5）：在潮濕的空氣中產生有毒的氟化氫煙霧。用作氣態磷離子注入源。12、四氟化碳（CF4）：作為等離子蝕刻工藝中常用的工作氣體，是二氧化硅、氮化硅的等離子蝕刻劑。13、六氟乙烷（C2H6）：在等離子工藝中作為二氧化硅和磷硅玻璃的干蝕氣體。14、全氟丙烷（C3F8）：在等離子蝕刻工藝中，作為二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蝕刻氣體。

標簽：工業氣體多晶硅用到